18/05: Una técnica láser que elimina los átomos de hidrógeno de las superficies de silicio permite el proceso semiconductor a bajas temperaturas
Un equipo de investigadores ha logrado uno de los objetivos científicos más ansiados: la utilización de luz láser para romper enlaces moleculares específicos. El proceso utiliza luz láser, en vez de calor, para eliminar los átomos de hidrógeno de las superficies de silicio. Esto es un paso fundamental en la fabricación de chips informáticos y células solares, ya que este logro podría reducir los costes y mejorar la calidad de una amplia gama de dispositivos semiconductores.
La técnica se describe en el ejemplar del 19 de mayo de la revista Science.“Vivimos en la era del silicio”, observa Tolk, un profesor de física de Vanderbilt. “El hecho de que hayamos averiguado como eliminar el hidrógeno con un láser aumenta la posibilidad de que logremos incrementar los dispositivos de silicio a temperaturas muy bajas, próximas a temperatura ambiente”.
Fuente: vanderbilt.edu/
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