Mayor almacenamiento en microchips con materiales ferroeléctricos

Investigadores en Ingeniería de la Universidad de Michigan (UM) han encontrado un modo de mejorar el rendimiento de los materiales ferroeléctricos, que tienen el potencial de crear dispositivos de memoria con mayor capacidad de almacenamiento que los discos duros magnéticos y velocidades de escritura más rápidas y una vida útil más larga que la memoria flash.

En la memoria ferroeléctrica, la dirección de polarización eléctrica de las moléculas actúa como un bit 0 ó 1. Se utiliza un campo eléctrico para cambiar la polarización, que es como se almacenan los datos.

Con colegas de la UM y colaboradores de la Universidad de Cornell, la Universidad Estatal de Pensilvania y la Universidad de Wisconsin, Madison, Xiaoqing Pan, un profesor del Departamento de Ingeniería y Ciencias de los Materiales de la UM, ha diseñado un sistema material que espontáneamente forma espirales de tamaño nanométrico de la polarización eléctrica a intervalos controlables, lo que podría proporcionar sitios naturales para la conmutación de la polarización y reducir, así, la energía necesaria para cambiar cada bit.

Fuente: ElectroIQ