Memorias de estado sólido para dispositivos nanoelectrónicos

Análisis de las tendencias de investigación y el futuro de las memorias de estado sólido para dispositivos nanoelectrónicos

Un analista de mercado analiza las tendencias mundiales de investigación y el futuro de las memorias de estado sólido para dispositivos nanoelectrónicos portátiles.

El analista de mercado Reportlinker.com ha añadido recientemente a su catálogo un informe titulado “Advanced Solid-state Memory Systems And Products: Emerging Non-volatile Memory Technologies, Industry Trends And Market Analysis” (Productos y sistemas avanzados de memoria de estado sólido: tecnologías emergentes de memorias no volátiles, tendencias del sector y análisis de mercado). El informe también está disponible en su página Web.

El informe afirma que la memoria de semiconductores estimada para los circuitos integrados de silicio de última generación representa las cualidades de las tecnologías de memoria múltiple actuales. Tendrá que contar con una memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) rápida, la no volatilidad de las memorias flash y el volumen de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). También tendrá que ser rentable y de tamaño nanométrico.

El informe ha analizado las tres memorias. La SRAM tiene buenas velocidades de lectura y escritura, se adapta fácilmente en las aplicaciones integradas y eficiente desde el punto de vista energético, pero el gran tamaño de sus celdas dificulta su uso en aplicaciones integradas que necesitan más memoria. La DRAM necesita un solo transistor y condensador de almacenamiento por celda, lohttp://www.blogger.com/img/blank.gif cual ofrece más densidad, pero aumenta las complicaciones del proceso. La memoria flash permite que la información se conserve aún cuando se apaga la alimentación de energía, ahorrando batería. Además, dispone de gran volumen y de unos tiempo de acceso rápidos. Pero por otro lado, tiene un modo de escritura lento y una resistencia limitada que hacen que sea inadecuada para la mayoría de las aplicaciones.

El informe afirma que los investigadores están tratando de desarrollar una “memoria universal” que combine los beneficios de las tres memorias. Esto podría eliminar la necesidad de múltiples memorias, ahorrando el tiempo y las pérdidas inherentes a dichas transferencias, y reduciendo el coste del sistema.

Fuente: Azonano