24/05: Los transistores de nanocables superan a los MOSFET
Investigadores de la Universidad de Harvard, EEUU, afirman haber desarrollado los mejores transistores de nanocables hasta la fecha. Los dispositivos consisten en transistores de efecto de campo (FET) con nanocables de núcleo de germanio y cubierta de silicio, que utilizan dieléctricos de κ alto y una geometría top gate de metal.
“Hemos mostrado que el rendimiento de nuestros nuevos FET con nanocables de silicio/germanio es tres o cuatro veces mejor que el de los dispositivos CMOS de silicio”, afirmó Charles Lieber, de Harvard, para nanotechweb.org, “demostrando así, por primera vez, que hay una clara ventaja de los nanocables frente a los FET convencionales. Esto justifica continuar con los estudios (con más empeño) sobre los FET de nanocables e, informando de los resultados con criterio industrial, esperamos lograr también que el sector sea cada vez más consciente del potencial de esta investigación fundamental”.
Fuente: nanotechweb.org/
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