El transistor más rápido del mundo

Investigadores y estudiantes de postgrado de Ingeniería están saliendo del dominio de los transistores. Es en las instalaciones de micro y nanotecnología del campus universitario donde un equipo, bajo la dirección de un profesor, se mantiene en la vanguardia de la tecnología ultra rápida de los transistores.

Tres años de desarrollo, 14 millones de dólares y casi una década de investigación han valido la pena. Milton Feng, prof. de ingeniería informática y eléctrica, y su equipo de ingenieros licenciados han finalizado el desarrollo de un transistor de 845 gigahertzios, actualmente el más rápido del mundo. 300 gigahertzios más rápido que la competencia, el “Pseudomorphic Heterojunction Bipolar Transistor” o PHBT ultra rápido, procede de mejoras en una serie de predecesores más lentos

Fuente: Nanotechnology Now

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