Almacenamiento de datos a nivel atómico

Los científicos han demostrado el almacenamiento de datos en un solo bit a nivel atómico. Esto podría abrir el camino de la memoria a nanoescala, cientos de veces más densa que las actuales memorias flash y RAM.

El efecto, descrito por los científicos Andrei Sokolov y Bernard Doudin en la revista Nature Nanotechnology, depende de la llamada electrónica de espín (o “espintrónica”, abreviado).

Se trata de un área de la física cuántica en la que los electrones que fluyen a través de hilos metálicos a nanoescala ven su espín afectado por el estado magnético de los átomos del hilo a través del cual se desplazan. Este fenómeno se conoce como magnetorresistencia anisótropa de balística (BAMR), prima de la utilizada por los cabezales de lectura de magnetorresistencia gigante (GMR) de los discos duros modernos.

Con la BAMR, el espín de los electrones puede ser tanto positivo como negativo y varía de forma detectable. Los dos estados del espín pueden representar un par binario (uno y cero) y se pueden detectar por medio de las variaciones en la resistencia del hilo.

Fuente: Techworld