Puertas silicatadas

Nuevo enfoque para los MOSFET de puerta de NiSi con un amplio rango de trabajo

Según un artículo publicado el 9 de diciembre de 2006 en Nanotechweb.org, las
puertas totalmente silicatadas de NiSi han sido reconocidas como las mejores candidatas para reemplazar al polisilicato en los electrodos de puerta de la próxima generación de dispositivos CMOS. De este modo, se incrementarían la velocidad y manejo actuales en más de un orden de magnitud y también se podría reducir significativamente el consumo energético.

El equipo de investigación, dirigido por el Dr. Jun Liu, del Centro de Investigación de Microelectrónica de la Universidad de Texas, en Austin, ha desarrollado un nuevo enfoque que hará realidad un amplio rango de trabajo (4,3eV a 5,1eV), ideal para la aplicación en CMOS.

El nuevo enfoque utiliza una novedosa técnica de implantación de mútiples dopantes (As, P, Sb, B) para hacer realidad el amplio abanico de trabajo, mientras que los valores actuales de trabajo se podrían ajustar fácilmente por medio de la dosis de dopante y la energía.

Este nuevo enfoque lo siguen de cerca conocidas compañías del campo de la investigación de los semiconductores, por ser el método más prometedor hasta la fecha para hacer que funcionen los transistores de puerta de silicato de níquel (NiSi).

Fuente: Nanotechweb.org