Un equipo internacional de investigadores dirigido por Lay-Lay Chua de la Universidad de Cambridge y Peter Ho de la Universidad Nacional de Singapore ha descubierto que la incapacidad de transistores org\u00e1nicos (compuestos de pl\u00e1sticos semi-conductores) de mover electrones no se debe a una incapacidad del pl\u00e1stico en s\u00ed, sino a una interacci\u00f3n con otros materiales en el transistor.<\/p>\n
La fabricaci\u00f3n de transistores org\u00e1nicos es barata, pero aunque permitan el desarrollo de electr\u00f3nica fina, hasta ahora no ha sido posible utilizarlos para la implementaci\u00f3n del dise\u00f1o de los circuitos m\u00e1s r\u00e1pidos, porque los pl\u00e1sticos no pueden transportar los electrones. Tienen que recurrir a un flujo de cargas positivas para llevar la corriente, lo que ha limitado su aplicaci\u00f3n hasta ahora.<\/p>\n
Pero el descubrimiento de Chua y Ho podr\u00eda servir para darles mayor velocidad, y por consiguiente, mayor diversidad para posibles aplicaciones. <\/p>\n
En un transistor la corriente pasa por un semiconductor bajo el control de electrodo puerta. Esta puerta es separada del semiconductor por un aislador, normalmente di\u00f3xido de silico. En los transistores de silicio convencionales, los electrones pasan por el semiconductor sin interactuar con el aislante. Pero en la mayor\u00eda de semiconductores pl\u00e1sticos, los \u00e1tomos que est\u00e1n en el interface, entre el aislante y los electrones atrapan los electrones, impidiendo que estos fluyan a trav\u00e9s del transistor. En esta investigaci\u00f3n, los cient\u00edficos dise\u00f1aron un aislante alternativa, para sustituir el di\u00f3xido de silico y as\u00ed mostraron que los semiconductores org\u00e1nicos s\u00ed pueden conducir electrones.<\/p>\n
Este avance podr\u00eda hacer posible la creaci\u00f3n de transistores org\u00e1nicos m\u00e1s sencillos y de mayor calidad capaces de realizar mayor n\u00famero de funciones. Una posible aplicaci\u00f3n ser\u00eda etiquetas de identificaci\u00f3n electr\u00f3nicas, (RFID).<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Un equipo internacional de investigadores dirigido por Lay-Lay Chua de la Universidad de Cambridge y Peter Ho de la Universidad Nacional de Singapore ha descubierto que la incapacidad de transistores org\u00e1nicos (compuestos de pl\u00e1sticos semi-conductores) de mover electrones no se debe a una incapacidad del pl\u00e1stico en s\u00ed, sino a una interacci\u00f3n con otros materiales en el transistor. La fabricaci\u00f3n de transistores org\u00e1nicos es barata, pero aunque permitan el desarrollo de electr\u00f3nica fina, hasta ahora no ha sido posible utilizarlos para la implementaci\u00f3n del dise\u00f1o de los circuitos m\u00e1s r\u00e1pidos, porque los pl\u00e1sticos no pueden transportar los electrones. Tienen que <\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-3479","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-general"],"yoast_head":"\n