{"id":3393,"date":"2007-10-08T08:55:00","date_gmt":"2007-10-08T08:55:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/ibm-mejora-la-memoria-con-nanocables"},"modified":"2016-03-01T23:46:24","modified_gmt":"2016-03-01T23:46:24","slug":"ibm-mejora-la-memoria-con-nanocables","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/ibm-mejora-la-memoria-con-nanocables\/","title":{"rendered":"IBM mejora la memoria con Nanocables"},"content":{"rendered":"<p><strong>IBM intenta reinventar la memoria<\/strong><\/p>\n<p>Seg\u00fan un art\u00edculo publicado esta semana en Technology Review, investigadores de IBM est\u00e1n desarrollando un nuevo dispositivo de memoria basado en nanocables que podr\u00eda combinar las mejores cualidades de los distintos tipos de memoria utilizados hoy en d\u00eda, mejorando el rendimiento y reduciendo los costes. Si esta memoria experimental (todav\u00eda en sus primeras fases de desarrollo) tiene \u00e9xito, podr\u00eda servir como memoria universal y llegar a sustituir a los distintos tipos de memoria utilizados en la actualidad.<\/p>\n<p>Stuart Parkin, f\u00edsico experimental de Centro de Investigaci\u00f3n Almaden de IBM en San Jose, California, se\u00f1ala que esta memoria, que almacenar\u00e1 100 bits de datos en un solo nanocable, podr\u00eda llegar a almacenar entre 10 y 100 veces m\u00e1s datos que las memorias flash utilizadas en las c\u00e1maras digitales y otros peque\u00f1os dispositivos port\u00e1tiles, y funcionar adem\u00e1s a velocidades muy superiores. Por otra parte, dado que es una memoria de estado s\u00f3lido, ser\u00eda mucho m\u00e1s resistente que los discos duros magn\u00e9ticos, que necesitan dispositivos mec\u00e1nicos para leer y escribir los datos. Nuestra memoria podr\u00eda ser m\u00e1s barata, m\u00e1s densa y m\u00e1s r\u00e1pida que las memorias flash, se\u00f1ala Parkin, y dado que no incluye un mecanismo que se pueda deteriorar, es totalmente fiable.<\/p>\n<p>Seg\u00fan Parkin, todo esto ser\u00eda posible como resultado de la aplicaci\u00f3n de nuevos descubrimientos al comportamiento a nanoescala de los materiales magn\u00e9ticos y las corrientes electr\u00f3nicas en estos materiales, que abren el camino para almacenar muchos bits de datos en un solo nanocable. Parkin ha demostrado los elementos b\u00e1sicos del nuevo tipo de memoria, pero todav\u00eda no ha construido un prototipo completo. Fuente:<\/p>\n<p>Fuente: <a href=\"http:\/\/www.technologyreview.com\/Nanotech\/19477\/\">Technology Review<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>IBM intenta reinventar la memoria Seg\u00fan un art\u00edculo publicado esta semana en Technology Review, investigadores de IBM est\u00e1n desarrollando un nuevo dispositivo de memoria basado en nanocables que podr\u00eda combinar las mejores cualidades de los distintos tipos de memoria utilizados hoy en d\u00eda, mejorando el rendimiento y reduciendo los costes. Si esta memoria experimental (todav\u00eda en sus primeras fases de desarrollo) tiene \u00e9xito, podr\u00eda servir como memoria universal y llegar a sustituir a los distintos tipos de memoria utilizados en la actualidad. 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