Cuando se trata del almacenamiento de datos, la densidad y la duraci\u00f3n siempre se han movido en direcciones opuestas: cuanta m\u00e1s densidad, menos duraci\u00f3n. Por ejemplo, la informaci\u00f3n tallada en piedra no es muy densa, pero puede durar miles de a\u00f1os, mientras que los actuales chips de memoria de silicio pueden almacenaran mucha informaci\u00f3n, pero \u00fanicamente durante unas cuantas d\u00e9cadas. <\/p>\n
Sin embargo, investigadores del LBNL (Lawrence Berkeley National Laboratory) y la Universidad de California (UC) Berkeley han acabado con esta tradici\u00f3n inventando un nuevo medio de almacenamiento capaz de almacenar miles de veces m\u00e1s informaci\u00f3n en 2,5cm2 que los chips convencionales y conservarla durante \u00a1m\u00e1s de mil millones de a\u00f1os!<\/p>\n
EL nuevo dispositivo de memoria electromec\u00e1nica a nanoescala escribe y lee los datos en funci\u00f3n de la posici\u00f3n de una nanopart\u00edcula de hierro en el interior de un nanotubo de carbono. <\/p>\n
\u00abHemos desarrollado un nuevo mecanismo de almacenamiento de memoria digital que consiste en una lanzadera formada por una nanopart\u00edcula de hierro cristalina introducida en el hueco interior de un nanotubo de carbono de pared m\u00faltiple\u00bb, se\u00f1al\u00f3 el f\u00edsico Alex Zettl, quien dirigi\u00f3 la investigaci\u00f3n. \u00abMediante esta combinaci\u00f3n de nanomateriales e interacciones, hemos creado un dispositivo de memoria que presenta ambas caracter\u00edsticas: una densidad ultra elevada y una vida ultra larga; y en el que se puede escribir y leer utilizando los voltajes convencionales ya disponibles en los dispositivos electr\u00f3nicos digitales\u00bb.<\/p>\n
Zettl, uno de los principales investigadores a nivel mundial de dispositivos y sistemas a nanoescala y director del Cento de sistemas nanomec\u00e1nicos integrados de UC Berkeley, es el principal autor del trabajo, publicado en l\u00ednea en la revista Nano Letters con el t\u00edtulo: \u00abNanoscale Reversible Mass Transport for Archival Memory.\u00bb<\/p>\n
La creciente demanda de almacenamiento digital para v\u00eddeos, im\u00e1genes, m\u00fasica y texto requiere unos medios de almacenamiento que almacenen cada vez m\u00e1s datos en unos chips que son cada vez m\u00e1s peque\u00f1os. <\/p>\n
Para resolver esta cuesti\u00f3n, Zettl y sus colaboradores han creado un sistema de memoria programable basado en una pieza m\u00f3vil, una nanopart\u00edcula de hierro que, en presencia de una corriente el\u00e9ctrica de bajo voltaje, puede ser impulsada arriba y abajo en el interior de un nanotubo de carbono con una extraordinaria precisi\u00f3n. La posici\u00f3n de la nanopart\u00edcula en el interior del tubo se puede leer directamente mediante una simple medici\u00f3n de resistencia el\u00e9ctrica, permitiendo que funcione como elemento de memoria no vol\u00e1til con, posiblemente, cientos de estados de memoria binarios.<\/p>\n
Seg\u00fan Zettl, el nuevo sistema cuenta con una densidad de informaci\u00f3n de hasta un bill\u00f3n de bits por cada 2,5cm2 y una estabilidad termodin\u00e1mica de m\u00e1s de mil millones de a\u00f1os. \u00abEs m\u00e1s, puesto que el sistema est\u00e1 sellado herm\u00e9ticamente de forma natural, ofrece su propia protecci\u00f3n frente a la contaminaci\u00f3n medioambiental\u00bb, a\u00f1adi\u00f3.<\/p>\n
Las capacidades de escritura\/lectura el\u00e9ctricas de bajo voltaje del elemento de memoria de este dispositivo electromec\u00e1nico facilitan la integraci\u00f3n a gran escala y deber\u00edan facilitar tambi\u00e9n su incorporaci\u00f3n en los actuales sistemas de procesamiento de silicio. Por todo ello, Zettl calcula que la tecnolog\u00eda podr\u00eda llegar al mercado en los pr\u00f3ximos dos a\u00f1os, causando un impacto importante. <\/p>\n