{"id":2075,"date":"2006-12-24T10:44:00","date_gmt":"2006-12-24T10:44:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/puertas-silicatadas"},"modified":"2016-03-01T15:56:26","modified_gmt":"2016-03-01T15:56:26","slug":"puertas-silicatadas","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/puertas-silicatadas\/","title":{"rendered":"Puertas silicatadas"},"content":{"rendered":"<p><strong>Nuevo enfoque para los MOSFET de puerta de NiSi con un amplio rango de trabajo<\/strong> <\/p>\n<p>Seg\u00fan un art\u00edculo publicado el 9 de diciembre de 2006 en Nanotechweb.org, las <br \/>puertas totalmente silicatadas de NiSi han sido reconocidas como las mejores candidatas para reemplazar al polisilicato en los electrodos de puerta de la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de dispositivos CMOS. De este modo, se incrementar\u00edan la velocidad y manejo actuales en m\u00e1s de un orden de magnitud y tambi\u00e9n se podr\u00eda reducir significativamente el consumo energ\u00e9tico.<\/p>\n<p>El equipo de investigaci\u00f3n, dirigido por el Dr. Jun Liu, del Centro de Investigaci\u00f3n de Microelectr\u00f3nica de la Universidad de Texas, en Austin, ha desarrollado un nuevo enfoque que har\u00e1 realidad un amplio rango de trabajo (4,3eV a 5,1eV), ideal para la aplicaci\u00f3n en CMOS.<\/p>\n<p>El nuevo enfoque utiliza una novedosa t\u00e9cnica de implantaci\u00f3n de m\u00fatiples dopantes (As, P, Sb, B) para hacer realidad el amplio abanico de trabajo, mientras que los valores actuales de trabajo se podr\u00edan ajustar f\u00e1cilmente por medio de la dosis de dopante y la energ\u00eda.<\/p>\n<p>Este nuevo enfoque lo siguen de cerca conocidas compa\u00f1\u00edas del campo de la investigaci\u00f3n de los semiconductores, por ser el m\u00e9todo m\u00e1s prometedor hasta la fecha para hacer que funcionen los transistores de puerta de silicato de n\u00edquel (NiSi).<\/p>\n<p>Fuente: <a href=\"http:\/\/nanotechweb.org\/yournews\/14308?rss=2.0 \">Nanotechweb.org<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Nuevo enfoque para los MOSFET de puerta de NiSi con un amplio rango de trabajo Seg\u00fan un art\u00edculo publicado el 9 de diciembre de 2006 en Nanotechweb.org, las puertas totalmente silicatadas de NiSi han sido reconocidas como las mejores candidatas para reemplazar al polisilicato en los electrodos de puerta de la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de dispositivos CMOS. 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