An\u00e1lisis de las tendencias de investigaci\u00f3n y el futuro de las memorias de estado s\u00f3lido para dispositivos nanoelectr\u00f3nicos<\/p>\n
Un analista de mercado analiza las tendencias mundiales de investigaci\u00f3n y el futuro de las memorias de estado s\u00f3lido para dispositivos nanoelectr\u00f3nicos port\u00e1tiles.<\/p>\n
El analista de mercado Reportlinker.com ha a\u00f1adido recientemente a su cat\u00e1logo un informe titulado \u00abAdvanced Solid-state Memory Systems And Products: Emerging Non-volatile Memory Technologies, Industry Trends And Market Analysis\u00bb (Productos y sistemas avanzados de memoria de estado s\u00f3lido: tecnolog\u00edas emergentes de memorias no vol\u00e1tiles, tendencias del sector y an\u00e1lisis de mercado). El informe tambi\u00e9n est\u00e1 disponible en su p\u00e1gina Web.<\/p>\n
El informe afirma que la memoria de semiconductores estimada para los circuitos integrados de silicio de \u00faltima generaci\u00f3n representa las cualidades de las tecnolog\u00edas de memoria m\u00faltiple actuales. Tendr\u00e1 que contar con una memoria est\u00e1tica de acceso aleatorio (SRAM) r\u00e1pida, la no volatilidad de las memorias flash y el volumen de la memoria din\u00e1mica de acceso aleatorio (DRAM). Tambi\u00e9n tendr\u00e1 que ser rentable y de tama\u00f1o nanom\u00e9trico.<\/p>\n
El informe ha analizado las tres memorias. La SRAM tiene buenas velocidades de lectura y escritura, se adapta f\u00e1cilmente en las aplicaciones integradas y eficiente desde el punto de vista energ\u00e9tico, pero el gran tama\u00f1o de sus celdas dificulta su uso en aplicaciones integradas que necesitan m\u00e1s memoria. La DRAM necesita un solo transistor y condensador de almacenamiento por celda, lohttp:\/\/www.blogger.com\/img\/blank.gif cual ofrece m\u00e1s densidad, pero aumenta las complicaciones del proceso. La memoria flash permite que la informaci\u00f3n se conserve a\u00fan cuando se apaga la alimentaci\u00f3n de energ\u00eda, ahorrando bater\u00eda. Adem\u00e1s, dispone de gran volumen y de unos tiempo de acceso r\u00e1pidos. Pero por otro lado, tiene un modo de escritura lento y una resistencia limitada que hacen que sea inadecuada para la mayor\u00eda de las aplicaciones.<\/p>\n
El informe afirma que los investigadores est\u00e1n tratando de desarrollar una \u00abmemoria universal\u00bb que combine los beneficios de las tres memorias. Esto podr\u00eda eliminar la necesidad de m\u00faltiples memorias, ahorrando el tiempo y las p\u00e9rdidas inherentes a dichas transferencias, y reduciendo el coste del sistema.<\/p>\n