{"id":1304,"date":"2012-10-05T00:37:00","date_gmt":"2012-10-05T00:37:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/dispositivos-de-memoria-resistiva-no"},"modified":"2016-03-04T10:48:00","modified_gmt":"2016-03-04T10:48:00","slug":"dispositivos-de-memoria-resistiva-no","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/dispositivos-de-memoria-resistiva-no\/","title":{"rendered":"Dispositivos de memoria resistiva no vol\u00e1til altamente transparentes de \u00f3xido de silicio y grafeno"},"content":{"rendered":"<p>Una memoria electr\u00f3nica transparente ser\u00eda \u00fatil en dispositivos electr\u00f3nicos integrados transparentes. Sin embargo, alcanzar dicha transparencia produce l\u00edmites en la composici\u00f3n de los materiales y, por lo tanto, dificulta el procesamiento y el rendimiento del dispositivo.<\/p>\n<p>A continuaci\u00f3n, presentamos una v\u00eda para la fabricaci\u00f3n de memoria altamente transparente, con SiOx como material activo y \u00f3xido de indio y esta\u00f1o o grafeno como electrodos.<\/p>\n<p>La memoria resistiva no vol\u00e1til de dos terminales tambi\u00e9n se puede configurar en arrays de barras sobre vidrio o plataformas flexibles transparentes. La conducci\u00f3n filamentosa en los canales de silicio generados in situ en el SiOx mantiene el nivel de corriente a medida que el tama\u00f1o del dispositivo disminuye, lo que subraya su potencial para las aplicaciones de memoria de alta densidad; y puesto que est\u00e1n basadas en dos terminales, las transiciones a paquetes de memoria tridimensionales son concebibles.<\/p>\n<p>Como el cristal se est\u00e1 convirtiendo en uno de los pilares del desarrollo de materiales de construcci\u00f3n y las pantallas conductoras son fundamentales para los modernos dispositivos de mano, resulta ventajoso haber aumentado la funcionalidad en paquetes de forma ajustada.<\/p>\n<p>Fuente: <a href=\"http:\/\/www.nature.com\/ncomms\/journal\/v3\/n10\/full\/ncomms2110.html\">http:\/\/www.nature.com\/ncomms\/journal\/v3\/n10\/full\/ncomms2110.html<\/a> <\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Una memoria electr\u00f3nica transparente ser\u00eda \u00fatil en dispositivos electr\u00f3nicos integrados transparentes. 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