{"version":"1.0","provider_name":"Nanotecnolog\u00eda","provider_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia","author_name":"Euroresidentes","author_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/author\/euroresidentes\/","title":"Nueva memoria flexible de transistores de nanocables - Nanotecnolog\u00eda","type":"rich","width":600,"height":338,"html":"<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"tErvaJ050i\"><a href=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/nueva-memoria-flexible-de-transistores\/\">Nueva memoria flexible de transistores de nanocables<\/a><\/blockquote><iframe sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" src=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/nueva-memoria-flexible-de-transistores\/embed\/#?secret=tErvaJ050i\" width=\"600\" height=\"338\" title=\"\u00abNueva memoria flexible de transistores de nanocables\u00bb \u2014 Nanotecnolog\u00eda\" data-secret=\"tErvaJ050i\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" class=\"wp-embedded-content\"><\/iframe><script type=\"text\/javascript\">\n\/* <![CDATA[ *\/\n\/*! This file is auto-generated *\/\n!function(d,l){\"use strict\";l.querySelector&&d.addEventListener&&\"undefined\"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!\/[^a-zA-Z0-9]\/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),c=new RegExp(\"^https?:$\",\"i\"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display=\"none\";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute(\"style\"),\"height\"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):\"link\"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute(\"src\")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener(\"message\",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener(\"DOMContentLoaded\",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll(\"iframe.wp-embedded-content\"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute(\"data-secret\"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+=\"#?secret=\"+t,e.setAttribute(\"data-secret\",t)),e.contentWindow.postMessage({message:\"ready\",secret:t},\"*\")},!1)))}(window,document);\n\/* ]]> *\/\n<\/script>\n","description":"Investigadores del Reino Unido han creado un nuevo tipo de componente de memoria a nanoescala que, alg\u00fan d\u00eda, se podr\u00eda utilizar para almacenar m\u00e1s datos en los aparatos. El dispositivo almacena bits de informaci\u00f3n utilizando la conductancia de los transistores a nanoescala hechos de \u00f3xido de zinc. La semana pasada, los investigadores publicaron, en la versi\u00f3n en l\u00ednea de la revista Nano Letters, un art\u00edculo sobre un dispositivo de memoria prototipo fabricado sobre un sustrato de silicio r\u00edgido. Ahora est\u00e1n probando dispositivos de memoria flexibles en el laboratorio, se\u00f1ala Junginn Sohn, investigador del centro de Nanociencia de la Universidad de"}