{"version":"1.0","provider_name":"Nanotecnolog\u00eda","provider_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia","author_name":"Euroresidentes","author_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/author\/euroresidentes\/","title":"El transistor m\u00e1s r\u00e1pido del mundo - Nanotecnolog\u00eda","type":"rich","width":600,"height":338,"html":"<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"sGtQrh0D5T\"><a href=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/el-transistor-ms-rpido-del-mundo\/\">El transistor m\u00e1s r\u00e1pido del mundo<\/a><\/blockquote><iframe sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" src=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/el-transistor-ms-rpido-del-mundo\/embed\/#?secret=sGtQrh0D5T\" width=\"600\" height=\"338\" title=\"\u00abEl transistor m\u00e1s r\u00e1pido del mundo\u00bb \u2014 Nanotecnolog\u00eda\" data-secret=\"sGtQrh0D5T\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" class=\"wp-embedded-content\"><\/iframe><script type=\"text\/javascript\">\n\/* <![CDATA[ *\/\n\/*! This file is auto-generated *\/\n!function(d,l){\"use strict\";l.querySelector&&d.addEventListener&&\"undefined\"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!\/[^a-zA-Z0-9]\/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),c=new RegExp(\"^https?:$\",\"i\"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display=\"none\";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute(\"style\"),\"height\"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):\"link\"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute(\"src\")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener(\"message\",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener(\"DOMContentLoaded\",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll(\"iframe.wp-embedded-content\"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute(\"data-secret\"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+=\"#?secret=\"+t,e.setAttribute(\"data-secret\",t)),e.contentWindow.postMessage({message:\"ready\",secret:t},\"*\")},!1)))}(window,document);\n\/* ]]> *\/\n<\/script>\n","description":"Investigadores y estudiantes de postgrado de Ingenier\u00eda est\u00e1n saliendo del dominio de los transistores. Es en las instalaciones de micro y nanotecnolog\u00eda del campus universitario donde un equipo, bajo la direcci\u00f3n de un profesor, se mantiene en la vanguardia de la tecnolog\u00eda ultra r\u00e1pida de los transistores. Tres a\u00f1os de desarrollo, 14 millones de d\u00f3lares y casi una d\u00e9cada de investigaci\u00f3n han valido la pena. Milton Feng, prof. de ingenier\u00eda inform\u00e1tica y el\u00e9ctrica, y su equipo de ingenieros licenciados han finalizado el desarrollo de un transistor de 845 gigahertzios, actualmente el m\u00e1s r\u00e1pido del mundo. 300 gigahertzios m\u00e1s r\u00e1pido que"}