{"version":"1.0","provider_name":"Nanotecnolog\u00eda","provider_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia","author_name":"M. Rodr\u00edguez","author_url":"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/author\/merchy\/","title":"Dispositivos de memoria resistiva no vol\u00e1til altamente transparentes de \u00f3xido de silicio y grafeno - Nanotecnolog\u00eda","type":"rich","width":600,"height":338,"html":"<blockquote class=\"wp-embedded-content\" data-secret=\"J1oZhGwzi9\"><a href=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/dispositivos-de-memoria-resistiva-no\/\">Dispositivos de memoria resistiva no vol\u00e1til altamente transparentes de \u00f3xido de silicio y grafeno<\/a><\/blockquote><iframe sandbox=\"allow-scripts\" security=\"restricted\" src=\"https:\/\/www.euroresidentes.com\/tecnologia\/nanotecnologia\/dispositivos-de-memoria-resistiva-no\/embed\/#?secret=J1oZhGwzi9\" width=\"600\" height=\"338\" title=\"\u00abDispositivos de memoria resistiva no vol\u00e1til altamente transparentes de \u00f3xido de silicio y grafeno\u00bb \u2014 Nanotecnolog\u00eda\" data-secret=\"J1oZhGwzi9\" frameborder=\"0\" marginwidth=\"0\" marginheight=\"0\" scrolling=\"no\" class=\"wp-embedded-content\"><\/iframe><script type=\"text\/javascript\">\n\/* <![CDATA[ *\/\n\/*! This file is auto-generated *\/\n!function(d,l){\"use strict\";l.querySelector&&d.addEventListener&&\"undefined\"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!\/[^a-zA-Z0-9]\/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret=\"'+t.secret+'\"]'),c=new RegExp(\"^https?:$\",\"i\"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display=\"none\";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute(\"style\"),\"height\"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):\"link\"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute(\"src\")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener(\"message\",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener(\"DOMContentLoaded\",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll(\"iframe.wp-embedded-content\"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute(\"data-secret\"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+=\"#?secret=\"+t,e.setAttribute(\"data-secret\",t)),e.contentWindow.postMessage({message:\"ready\",secret:t},\"*\")},!1)))}(window,document);\n\/* ]]> *\/\n<\/script>\n","description":"Una memoria electr\u00f3nica transparente ser\u00eda \u00fatil en dispositivos electr\u00f3nicos integrados transparentes. Sin embargo, alcanzar dicha transparencia produce l\u00edmites en la composici\u00f3n de los materiales y, por lo tanto, dificulta el procesamiento y el rendimiento del dispositivo. A continuaci\u00f3n, presentamos una v\u00eda para la fabricaci\u00f3n de memoria altamente transparente, con SiOx como material activo y \u00f3xido de indio y esta\u00f1o o grafeno como electrodos. La memoria resistiva no vol\u00e1til de dos terminales tambi\u00e9n se puede configurar en arrays de barras sobre vidrio o plataformas flexibles transparentes. La conducci\u00f3n filamentosa en los canales de silicio generados in situ en el SiOx mantiene"}