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</html><description>24/05: Los transistores de nanocables superan a los MOSFET Investigadores de la Universidad de Harvard, EEUU, afirman haber desarrollado los mejores transistores de nanocables hasta la fecha. Los dispositivos consisten en transistores de efecto de campo (FET) con nanocables de n&#xFA;cleo de germanio y cubierta de silicio, que utilizan diel&#xE9;ctricos de &#x3BA; alto y una geometr&#xED;a top gate de metal. &#x201C;Hemos mostrado que el rendimiento de nuestros nuevos FET con nanocables de silicio/germanio es tres o cuatro veces mejor que el de los dispositivos CMOS de silicio&#x201D;, afirm&#xF3; Charles Lieber, de Harvard, para nanotechweb.org, &#x201C;demostrando as&#xED;, por primera vez, que</description></oembed>
