Seg\u00fan un art\u00edculo publicado esta semana en Technology Review, una nueva forma de hacer crecer varios semiconductores sobre silicio podr\u00eda acelerar la electr\u00f3nica. <\/p>\n
El silicio es el material por excelencia en el sector de la electr\u00f3nica, pero hay otros semiconductores que, desarrollados sobre una l\u00e1mina de silicio, podr\u00edan duplicar la velocidad de los transistores. El problema es que estos semiconductores suelen ser incompatibles con el silicio, pero ahora, una nueva empresa llamada AmberWave Systems ha desarrollado un nuevo m\u00e9todo para combinar los diferentes materiales, algo que podr\u00eda conducir a una electr\u00f3nica m\u00e1s r\u00e1pida y de menor tama\u00f1o. <\/p>\n
Adem\u00e1s, la combinaci\u00f3n de los diferentes tipos de semiconductores podr\u00eda dar lugar a l\u00e1seres y otros dispositivos fot\u00f3nicos m\u00e1s baratos, dado que los semiconductores utilizados en su fabricaci\u00f3n son m\u00e1s caros.<\/p>\n
Durante d\u00e9cadas, los investigadores han intentado desarrollar sobre silicio varios tipos de semiconductores distintos del silicio, pero de momento, ninguna t\u00e9cnica ha ido m\u00e1s all\u00e1 del laboratorio. El principal problema, se\u00f1ala Anthony Lochtefeld, vicepresidente de investigaci\u00f3n de AmberWave, es que los \u00e1tomos del silicio est\u00e1n m\u00e1s juntos que los de otros semiconductores como el germanio, el arseniuro de galio o el fosfuro de indio. \u00abLos entramados [at\u00f3micos] no encajan\u00bb, se\u00f1ala Lochtefeld, y los materiales se agrietan. <\/p>\n
En la investigaci\u00f3n presentada en el congreso SEMICON West celebrado en San Francisco la semana pasada, Lochtefeld mostr\u00f3 c\u00f3mo su equipo tall\u00f3 unas zanjas de 500 nan\u00f3metros de profundidad (y de entre 250 y 400 nan\u00f3metros de ancho) en una capa de di\u00f3xido de silicio sobre silicio y, a continuaci\u00f3n, las rellen\u00f3 con germanio. <\/p>\n
En el fondo de la zanja el germanio se fisur\u00f3 en contacto con el silicio. Sin embargo, debido a la orientaci\u00f3n innata del entramado de cristales del germanio, as\u00ed como a la del silicio, las grietas s\u00f3lo alcanzaron la mitad aproximadamente de la altura de la zanja de di\u00f3xido de silicio. Sobre la zanja, el germanio servible pudo crecer relativamente sin defectos. <\/p>\n
En cualquier caso, la tecnolog\u00eda de AmberWave est\u00e1 a\u00fan en sus primeras fases y los investigadores todav\u00eda deber\u00e1n demostrar que su m\u00e9todo puede dar lugar a dispositivos que funcionen. Actualmente, el equipo est\u00e1 centrado en probar otros materiales semiconductores, como el fosfuro de indio, utilizado en la fabricaci\u00f3n de los l\u00e1seres infrarrojos incluidos en las redes de telecomunicaciones. Lochtefeld no espera encontrarse ninguna sorpresa con este material, dado que su entramado tiene un espaciado similar al del germanio y el arseniuro de galio, otro material que ya ha sido probado con \u00e9xito. Pero antes de que se pueda utilizar esta tecnolog\u00eda para fabricar transistores o dispositivos fot\u00f3nicos, ser\u00e1 necesario m\u00e1s trabajo para garantizar que los defectos de cada material est\u00e9n minimizados. <\/p>\n
Lochtefeld cree que la tecnolog\u00eda de AmberWave se abrir\u00e1 camino en los transistores y dispositivos fot\u00f3nicos a comienzos de la pr\u00f3xima d\u00e9cada. Las dimensiones de los transistores est\u00e1n disminuyendo y el silicio, tal y como se utiliza hoy en d\u00eda, no podr\u00e1 adaptarse a estos tama\u00f1os y mantener su velocidad. El sector calcula que el silicio alcanzar\u00e1 su l\u00edmite f\u00edsico cerca del 2012, de ah\u00ed la carrera por encontrar los mejores materiales para reemplazarlo. <\/p>\n