Los transistores r\u00e1pidos podr\u00edan ahorrar energ\u00eda<\/p>\n
Los transistores, la piedra angular de la electr\u00f3nica, tienen p\u00e9rdidas y por lo tanto consumen energ\u00eda. Colombo Bolognesi, profesor de electr\u00f3nica de onda milim\u00e9trica en la ETH Z\u00fcrich, y su grupo de investigaci\u00f3n est\u00e1n especializados en el desarrollo de transistores de alto rendimiento destinados a transmitir informaci\u00f3n con tanta eficacia y rapidez como sea posible.<\/p>\n
Apenas el a\u00f1o pasado, el grupo de Bolognesi bati\u00f3 su propio r\u00e9cord de velocidad para los llamados \u00abtransistores de alta movilidad electr\u00f3nica (HEMT)\u00bb basados en los materiales nitruro de galio-aluminio (AlGaN\/GaN) depositados sobre sustratos de silicio (v\u00e9ase el art\u00edculo de ETH Life del 09\/09\/2009).<\/p>\n
Ahora, el equipo de Bolognesi, en colaboraci\u00f3n con el grupo de Nicolas Grandjean (profesor de f\u00edsica en la EPF Lausanne) est\u00e1 estudiando tambi\u00e9n un nuevo material: en lugar de utilizar nitruro de galio-aluminio, los investigadores est\u00e1n explotando las propiedades favorables de una nueva combinaci\u00f3n de materiales que consiste en el nitruro de indio-aluminio (AlInN\/GaN).<\/p>\n
Una posible aplicaci\u00f3n comercial de estos transistores podr\u00eda estar en los amplificadores de potencia de las antenas de transmisi\u00f3n inal\u00e1mbricas. En ellas, los transistores de nitruro de galio ayudar\u00edan a reducir los costes de energ\u00eda gracias a su mayor eficiencia energ\u00e9tica.<\/p>\n
Mediante el uso de los transistores de nitruro de galio, las operadoras de telefon\u00eda m\u00f3vil podr\u00edan reducir significativamente su consumo de energ\u00eda, y sus emisiones de CO2 en varias decenas de miles de toneladas.<\/p>\n
Bolognesi cree que los transistores basados en el nitruro de galio podr\u00edan mejorar la eficiencia de los transmisores inal\u00e1mbricos desde el 15-20% que tienen hoy en d\u00eda, hasta el 60%.<\/p>\n